От Илья Григоренко
К All
Дата 10.10.2000 15:13:42
Рубрики Современность;

Ура!!! Жорес Иванович Алферов наконец-то Нобелевскую премию получил!!!!!!!!!
От Alexei P
К Илья Григоренко (10.10.2000 15:13:42)
Дата 10.10.2000 23:42:35

Интервью с акад. Алферовым за 21 августа

>... мы решили побеседовать с крупнейшим специалистом в физике полупроводников, директором Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе и вице-президентом Российской академии наук Жоресом Ивановичем Алферовым:

> Жорес Иванович, к "кремниевой революции" советская наука была готова едва ли не лучше, чем к атомной или космической. Институт, который вы возглавляете, быстро стал мировым центром в области физики полупроводников, остается им и теперь. Тем не менее компьютерную гонку мы проиграли вчистую...

- Систематическое изучение полупроводников было начато в СССР в ЛФТИ в начале тридцатых под руководством Абрама Федоровича Иоффе. С полупроводниковых исследований начинал свою карьеру Курчатов, классические результаты в этой области принадлежат Якову Френкелю, то есть советская физика действительно была на высоте. Я считаю, что роковую ошибку допустило наше руководство - нужно было сразу после открытия транзистора придать микроэлектронике такой же приоритет, как бомбе и ракетам.

Впрочем, даже с учетом постоянного запаздывания, года на три, а по некоторым направлениям лет на пять, от японцев и американцев мы, например, здорово обгоняли еще лет пятнадцать назад Юго-Восточную Азию. Сегодня объем продаж электронных полупроводниковых компонентов в мире составляет примерно сто пятьдесят миллиардов долларов. Если посмотреть, как эта сумма распределяется по странам, получим следующую картину: пятьдесят миллиардов долларов приходится на США, еще пятьдесят миллиардов - Япония, одиннадцать миллиардов - Тайвань, семь миллиардов - Южная Корея, дальше - Германия. В восьмидесятые годы на СССР приходилось, если переводить в доллары, где-то в районе пятнадцати миллиардов. Это примерно соответствует нынешней доле рынка в двадцать пять миллиардов долларов. То есть мы были третьей электронной державой мира, а сейчас я даже не знаю, войдем ли мы во второй десяток.

Возьмите Зеленоград. Он создавался как мощнейший центр микроэлектроники. Были вложены огромные средства по тем временам прежде всего в создание предприятий "Ангстрем" и "Микрон", в Центр по проектированию сверхбольших интегральных схем, Опытного завода технологического оборудования и завода "Элма". И в то время - конец шестидесятых - начало семидесятых годов - Зеленоград вообще соответствовал уровню мировых стандартов. Сегодня мировой технологический уровень - 0,35 микрона. Дай бог, если, закупив импортное оборудование, Зеленоград в ближайшем будущем выйдет на 0,6. Когда там будет 0,35?

> В последнее время в Зеленоград зачастили первые лица государства, много говорится о модернизации отечественной элементной базы, о налаживании массового производства чипов etc. А не поздно ли нам догонять Юго-Восточную Азию, ведь существует мнение, что кремниевый век уже заканчивается и стратегические приоритеты надо менять?

- Возможно, вкладывать гигантские средства в обычную кремниевую электронику уже и не стоит.

В том, что мы - рынок сбыта для интеловских микропроцессоров, ничего страшного нет, но в определенных объемах внутреннее производство все же необходимо, не забывайте о военном аспекте этой проблемы. Поэтому никуда не денешься - придется организовать местное производство и на 0,35 микрона, и на 0,18. Что же касается стратегических приоритетов, то давайте посмотрим на упоминавшиеся выше сто пятьдесят миллиардов с другой стороны. Девяносто процентов суммы - это пока все еще кремний, причем большая часть (я не смогу сейчас точно назвать цифру, но существенно больше половины) - это кремниевые интегральные схемы, чипы. На что приходятся оставшиеся десять процентов? Это не кремниевая электроника, там другие материалы. В основном речь о так называемых полупроводниках А3-В5 - соединение элементов третьей и пятой групп системы Менделеева (арсинид галия и другие). Кремний, если использовать металлургическую аналогию, - это железо, А3-В5 - это цветные металлы вроде платиноидов. Так вот, если сравнить темпы роста, в кремниевой микроэлектронике они сегодня где-то в районе пятнадцати процентов, а темпы роста рынка электронных компонентов на основе А3-B5 - двадцать пять-тридцать процентов. Наиболее бурно развивающиеся компании на Западе в этой сфере растут сейчас на сто процентов в год.

Помимо разницы в темпах роста есть здесь еще один важный аспект. Если посмотреть с сугубонаучной точки зрения, во всех кремниевых электронных компонентах используются так называемые биполярные транзисторы, открытые Джоном Бардиным и Уолтером Браттейном в тысяча девятьсот сорок седьмом году, или полевые, которые были предложены ими же совместно с Уильямом Шокли (все трое были удостоены за эти открытия Нобелевской премии в 1956 году. - "Эксперт"). Эти два блестящих изобретения являются физической основой всей современной микроэлектроники. Но никаких других радикальных по крупному счету открытий, связанных с кремниевыми технологиями, больше не было, в определенном смысле они уже исчерпаны. С А3-В5 ситуация иная - последние десятилетия здесь просто фейерверк первоклассных открытий и технологических достижений. Полупроводники А3-В5, например, практически родили то, что называется оптоэлектроникой. Фотоприемники самого разного класса, полупроводниковые лазеры, полупроводниковые светодиоды. Кстати, можно было бы делать на основе, например, арсенида галия и интегральные схемы, и транзисторы со свойствами, значительно лучшими, чем кремниевые, но по некоторым технологическим причинам это вряд ли произойдет скоро, а главное потому, что в кремний и в кремниевую технологию вложены такие гигантские суммы, что в микроэлектронике замена его другим материалом возможна только в случае обнаружения каких-то совершенно фантастических преимуществ.

> Насколько я знаю, приоритет в открытии свойств полупроводников А3-В5 принадлежит нашим ученым?

- Полупроводниковые свойства этих соединений открыли в тысяча девятьсот пятидесятом году Нина Александровна Горюнова и Анатолий Робертович Регель в ЛФТИ. Но поскольку тогда наши журналы не переводились, независимо от них в пятьдесят втором году Велькер на фирме "Сименс" в Германии открыл эти полупроводники снова. Сегодня есть престижная медаль Велькера. Когда я ее получал лет двадцать тому назад, то сказал, что называться она должна медалью Велькера-Горюновой-Регеля. Впрочем, историческая справедливость в каком-то смысле восстановлена: когда Велькер потом пытался запатентовать свое открытие в разных странах, он получал один за другим отказы, так как работы Горюновой и Регеля со временем стали известны на Западе.

> Важнейшая особенность полупроводников А3-В5 - их оптические свойства, которых лишен кремний. Благодаря им, в общем-то, и оказалось возможным создать полупроводниковый лазер, который сегодня применяется везде - от волоконно-оптической связи до
проигрывателей компакт-дисков. Какую роль сыграл ЛФТИ в этом технологическом
прорыве?

- Родившиеся в тысяча девятьсот шестьдесят втором-шестьдесят третьем году полупроводниковые лазеры и светодиоды могли работать только при температуре жидкого азота или даже при еще более низкой. Тогда же, в шестьдесят третьем году, мы в ЛФТИ сформулировали возможность применения в полупроводниковой электронике так называемых гетероструктур на основе А3-В5, то есть гетеропереходов между полупроводниками, разными по составу. Понимаете, очень часто в полупроводниковом приборе желательно в одном его месте иметь материал с одними свойствами, в другом - с другими. Лазер, созданный на основе таких гетероструктур, может генерить при комнатной температуре, и мы сделали его в шестьдесят восьмом году, а в семидесятом добились непрерывного режима его работы. Почему важен непрерывный режим работы при комнатной температуре? Потому что в Америке были к тому времени открыты стеклянно-кварцевые волокна с малыми потерями. Сочетание полупроводникового лазера, работающего в обычных условиях, и волокна - волоконно-оптическая связь. На полупроводниковых гетероструктурах оказалось возможным разработать эффективные солнечные батареи (станция "Мир" пятнадцатый год летает на наших солнечных батареях, сделанных на гетероструктурах галий-алюминий-мышьяк). Наши спутники с солнечными батареями уже летали, когда американцы еще только публиковали по этой теме первые статьи. Такая же ситуация была и с полупроводниковыми лазерами - первые американские публикации совпали с запуском нашего опытного производства. Вообще советская электронная промышленность прежде всего гналась за повторением чиповых технологий, и мне в свое время стоило приложить немало усилий для организации крупномасштабного промышленного производства полупроводниковых лазеров. Часто приходилось идти на хитрость, мы шли к руководству и говорили: "Вот у американцев есть такая хреновина, она и для войны нужна, и в народном хозяйстве лишней не окажется, нужно наладить выпуск". То же практиковали, кстати, и американцы.

Сегодня полупроводниковые лазеры - наиболее динамичный сегмент электроники на
гетероструктурах А3-B5, он растет на тридцать процентов в год. Причем если сравнивать его с ростом рынка других лазерных компонентов, то можно утверждать, что где-нибудь в районе две тысячи десятого-две тысячи пятнадцатого года для других типов лазеров останется только небольшая ниша. Сегодня полупроводниковые лазеры активнее всего используются в информационных системах и телекоммуникациях. Но очень бурно развивается и их применение в
медицине, а так называемая диодная лазерная накачка позволяет создавать значительно более эффективные и мощные полупроводниковые лазеры для военных. Уже изготавливаются и продаются лазеры мощностью в десятки киловатт непрерывной мощности, а это уже мощности, которыми можно резать, прожигать, уничтожать, ну и проводить массу технологических работ.

> Все это хорошо, но, имея приоритет в разработке новых технологий, мы так и не смогли его реализовать. Что нужно делать сейчас?

- Я скажу банальную вещь, правда, раньше я о ней не задумывался. Если, условно, вы тратите один миллион на НИР, то должны выложить десять миллионов на development и сто миллионов на организацию производства. Найти деньги на масштабное производство проблематично, а НИР в отсутствие собственной высокотехнологичной промышленности тоже загибается. Так вот, я думаю, нам следует начинать с организации собственных пилотных линий для того, чтобы после нировских работ делать то, что называется development, но при этом разработанные элементы могут уже увязываться в систему, и на линии будут отрабатываться технологии для крупномасштабного производства конечных продуктов - электронных устройств. На одну такую пилотную линию нужно потратить от тридцати до пятидесяти миллионов долларов. Например, она будет делать полупроводниковые лазеры самых разных типов и опытные экземпляры устройств на их основе.

Тогда мы сможем продавать наши готовые технологии как у себя, так и на Западе значительно дороже, чем "недоведенные полуфабрикаты", а главное, получим основу для развития собственного массового производства. Сегодня в России есть основа только мозговая и лабораторная. Запад с удовольствием покупает у нас нировские разработки, а пилотные линии у них свои. Эту ситуацию необходимо изменить. Вот смотрите, американцы продавали корейцам лицензии на производство высокотехнологичной продукции, но при этом они не продавали им лицензии ни на лазерные технологии, ни, скажем, на технологии проектирования суперкомпьютеров. Южные корейцы в тысяча девятьсот девяностом году прибежали ко мне и с радостью купили мою старую, двадцатилетней давности, технологию мощных полупроводниковых лазеров. Если ничего не делать - в итоге все сведется к покупке лицензий на не самые ключевые технологии на Западе, а это заведомое поражение в технологической гонке.


Беседу вел Дан Медовников
Эксперт, 21.08.2000
От Alexei P
К Илья Григоренко (10.10.2000 15:13:42)
Дата 10.10.2000 23:20:25

Краткая биография акад. Алферова

Академик Жорес Иванович Алферов

Вице-президент РАН, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН Депутат Государственной Думы (фракция КПРФ), член комитета по образованию и науке.

Крупнейший российский ученый в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, полупроводниковой и квантовой электроники. При его активном участии созданы первые отечественные транзисторы, мощные германиевые выпрямители, новые классы полупроводниковых устройств и лазеров. Его научная деятельность отмечена Ленинской и государственной премиями СССР, высшими орденами СССР и России. Мировой приоритет его исследований и открытий отмечен золотой медалью С.Баллантайна (США), премией "Хьюлетт-Паккард" (Европейское физическое общество), золотой медалью Х.Велькера, премией А.П.Карпинского (ФРГ), а также избранием почетным членом более 15 международных академий, институтов и организаций.
Академик Ж.И.Алферов внес и продолжает вносить выдающийся вклад в воспитание и становление молодого поколения российских ученых. В 1972 году создал кафедру оптоэлектроники ЛЭТИ им.Ульянова-Ленина, и остается её профессором. В 1988 году инициировал создание физико-технического факультета в теперешнем Государственном техническом университете и стал его деканом. В 1991-1999 гг. добился создания и завершения строительства нового типа учебного заведения - Научно - Образовательного центра, где под одной крышей учатся школьники старших классов и студенты 1-2 курсов, а в настоящее время создаются современные лаборатории.
От Alexei P
К Илья Григоренко (10.10.2000 15:13:42)
Дата 10.10.2000 23:00:25

Ура!!!!! и текст пресс-релиза Нобелевского комитета

СООБЩЕНИЕ ДЛЯ ПЕЧАТИ 10 октября 2000 года

Сообщение для печати
Королевская Академия наук присвоила Нобелевскую премию по физике за 2000 год Исследователи и изобретатели , чьи труды положили основу современной информационной
технике - в основном, через разработку быстрых транзисторов, лазеров , а также интегральных схем (чипов).

Премия делится на две части с вручением первой половины Жоресу И . Алфёрову , Физико - институт им А. Иоффе , Санкт -Петербург , Россия, и Герберту Крёмеру , Калифорнийский институт в Санта Барбаре , Калифорния, США , за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники
и с вручением второй половины Джеку С . Килби, Даллас , Техас , США за его вклад в открытие интегральной схемы.

Современная информационная техника
Мировой обмен информацией в современном обществе происходит при помощи
компьютеров посредством оптико - связи через Интернет и с помощью мобильных телефонов через радио спутниковую связь . Для того чтобы современную информационную систему можно было использовать на практике, она должна отвечать двум простым , но основополагающим
требованиям . Она должна быть быстрой - так , чтобы большой объём информации можно было передать за короткий промежуток времени . Аппараты пользователя должны быть компактными , чтобы уместиться в офисе , дома , в портфеле или в кармане .
Своими открытиями Нобелевские лауреаты за этот год по физике положили основу такой современной технике . Жорес И . Алфёров и Герберт Крёмер открыли и развили быстрые опто - и микроэлектронные компоненты , которые создаются на базе многослойных полупроводниковых структур , так
называемых, полупроводниковых гетероструктур . Быстрые транзисторы ,
созданные на основе гетероструктурной технологии , используются также в
радио спутниковой связи и мобильных телефонах . Лазерные диоды, сконструированные по этой же технологии , передают информационные потоки
посредством оптико - сетей Интернета . Их можно обнаружить в проигрывателе CD дисков , устройстве , декодирующем товарные ярлыки, лазерной указке и во многом другом . На основе гетероструктурных технологий
сконструированы мощные светоизлучающие диоды , которые используются в
лампах тормозного освещения в автомобилях , светофорах и других предупреждающих световых сигналах . В будущем лампочки накаливания уступят место светоизлучающим диодам .

Джек С . Килби награждается за свой вклад в открытие и развитие интегральной
схемы , получившей название микросхемы или чипа . Благодаря этому открытию
стала быстро развиваться микроэлектроника , которая в настоящее время лежит в
основе всей современной техники . В качестве примера можно назвать мощные
компьютеры и процессоры . Они собирают и обрабатывают информацию , контролируют работу всех механизмов - от стиральной машины и автомобиля - до космических спутников и медицинского диагностического оборудования , например , компьютерного
томографа и приборов , на основе ядерного магнитного резонанса . Микросхемы
наводнили нашу жизнь небольшой по объёму электронной аппаратурой - от электронных часов и телевизионных игр - до калькуляторов и домашних компьютеров .


Жорес И . Алфёров родился в 1930 году в Витебске , в Белоруссии , входившей в
то время в состав Советского Союза . Степень доктора физико-математических наук получил в 1970 году в Физико - институте им . А . . Иоффе ,
Санкт - ( Ленинград ), Россия . Директор этого института с 1987
года .
http://194.85.224.34/pti00002.html
Герберт Крёмер родился в 1928 году в Германии . Докторскую степень по
физике получил в 1952 году в Геттингене . С 1954-57 год работал , наряду с
прочим , в лабораториях RCA, Принстоне , Нью - , США , и с 1959-66 год в
Varian Associates в Пало Альто , Калифорния , США . Профессор физики
Колорадского университета , Боулдер ; с 1968-76 год и позже профессор
Калифорнийского университета в Санта Барбаре , США.
http://www.ece.ucsb.edu/Faculty/Kroemer/default.html
Джек С . Килби родился в 1923 году в Джефферсон - , Миссури , США .
Гражданин Соединённых штатов . С 1958 года работал в Texas Instruments.
Профессор Техасского университета A&M с 1978-85 год.
http://www.ti.com/corp/docs/kilbyctr/jackstclair.shtml


Сумма премии - девять миллионов шведских крон . Первая половина этой
суммы распределяется между Жоресем И . Алфёровым и Гербертом Крёмером , а
вторая ? присуждена Джеку С . Килби .

Дополнительная информация : http://www.nobel.se/announcement/2000
Пресс - : Eva Krutmeijer, телефон +46 8 674 95 95, evak@kva.se

От Юрий Лямин
К Илья Григоренко (10.10.2000 15:13:42)
Дата 10.10.2000 15:20:55

Чуть подробнее...

В этом году она разделена между тремя учеными - это Жорес Алферов из Санкт-Петербурга, а также американские ученые Герберт Крэмер (Калифорнийский университет) и Джек Килби из Далласа.
Так были отмечены их работы в области современных информационных технологий, конкретнее - в разработке сверхбыстрых суперкомпьютеров.

От Bigfoot
К Юрий Лямин (10.10.2000 15:20:55)
Дата 10.10.2000 15:57:23

Только причем здесь физика? :) (+)

В смысле, это что, новый способ обойти нобелевскую несправедливость по отношению к математикам? ;)
От Bigfoot
К Bigfoot (10.10.2000 15:57:23)
Дата 10.10.2000 15:58:46

Пояснение (+)

Я не шибко в курсе про работы Алферова, и формулировка "за вклад в развитие информационных технологий" несколько необычна для физика...
От Александр А
К Bigfoot (10.10.2000 15:58:46)
Дата 10.10.2000 21:56:45

Re: Пояснение (+)

Привет,

Алферов сотоварищи сделал первый полупроводниковый лазер на основе двойной границы GaAa/AlGaAs (квантовой ямы).
Что-то типа того, что стоит в CD-плеере и используется в связи. На самом деле Нобелевский комитет рассматривал несколько кандидатур наших физиков.
Говорят, что Алферов был не первым из них.
Кроме него были Гинзбург,Абрикосов, Горьков и Андреев.
Но... так легла карта. Лоторея...

С уважением
Александр
От Bigfoot
К Александр А (10.10.2000 21:56:45)
Дата 10.10.2000 23:21:21

О, теперь все понятно... Спасибо. (-)

.
От Юрий Лямин
К Bigfoot (10.10.2000 15:58:46)
Дата 10.10.2000 16:54:15

Пояснение (+)

РБК. 10.10.2000, Стокгольм 16:37:16. Лауреатом Нобелевской премии в области физики стал вице-президент Российской академии наук Жорес Алферов, работающий в физико-технологическом институте имени А.Иоффе в Санкт-Петербурге. Кроме него лауреатами премии Альфреда Нобеля в области физики также стали немец Герберт Кремер, работающий в Калифорнийском университете в Санта-Барбаре, и американец, сотрудник компании Texas Instruments Джек Килби. Ж.Алферов и Г.Кремер разделят половину денежной части премии, полученной за вклад в разработку теоретических основ современных информационных технологий, используемых в системах спутниковой связи и сотовых телефонах. А вторую часть получит Д.Килби за изобретение и развитие интегральных схем и участие в создании карманных калькуляторов. Размер Нобелевской премии в этом году составляет 9 млн крон (915 тыс. долл.). Член Королевской академии наук Швеции Герман Гриммайс сегодня заявил, что работа этих трех человек бесценна для развития современных информационных технологий. "Без Д.Килби было бы невозможным создание персональных компьютеров, а без Ж.Алферова невозможно было бы передавать информацию через спутники", - подчеркнул он. Напомним, что вручение Нобелевских премий традиционно проходит 10 декабря в день смерти учредителя премии известного шведского промышленника и изобретателя динамита Альфреда Нобеля